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电力电子器件用硅单晶圆片

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  • 发货地    江苏 苏州市
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产品信息

主要内容和产品（技术）要求

1.8英寸区熔中照高阻硅晶圆片：直径200mm，少子寿命≥300us，氧含量≤1×1016atoms/cm3，碳含量≤2×1016atoms/cm3，无位错，电阻率≥300Ω?cm，满足制造600V～8000V器件的要求

实施目标

形成电力电子器件用8英寸高阻区熔中照硅单晶圆片的生产能力，满足国内600V～6.5kV的IGBT生产的需求

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