主要内容和产品（技术）要求:
1）高纯氯气。主要参数是：Cl2  ≥99.999%；H2O≤1.0ppm；CO2≤2.0ppmv；CO  ≤1.5ppmv；O2    ≤1.0ppmv；CH4≤0.1ppmv
2）三氯氢硅。主要参数是：纯度（质量分数）/10-2  ：≥99.99；一氯甲烷含量（质量分数）/10-6  ＜10  ；二氯氢硅含量（质量分数）/10-6  ≤100；四氯化硅含量（质量分数）/10-6  ≤100；铁含量(质量分数)/10-9≤30；镍含量(质量分数)/10-9≤2
3）锗烷.主要参数是：锗烷（GeH4）纯度（体积分数）/10-2  ≥99.999%；氢（H2）含量（体积分数）/10-6＜50氧（O2）+氩（Ar）含量（体积分数）/10-6  ≤2；氮（N2）含量（体积分数）/10-6  ≤2；一氧化碳(CO)含量(体积分数)/10-6  ≤1；二氧化碳(CO2)含量(体积分数)/10-6  ≤1；甲烷（CH4）含量(体积分数)/10-6  ≤；1水（H2O）含量(体积分数)/10-6  ≤3 

实施目标:
实现用于液晶面板、光纤、IC制造的高纯氯气产业化稳定生产，形成产能约600吨/年；
实现用于芯片硅外延制造的三氯氢硅产业化稳定生产，形成产能约1000吨/年；
实现用于8寸、12英寸芯片、薄膜太阳能电池及光纤制造的锗烷产业化稳定生产，形成产能约10吨/年