主要内容和产品(技术)要求:
1)高纯氯气。主要参数是:Cl2  ≥99.999%;H2O≤1.0ppm;CO2≤2.0ppmv;CO  ≤1.5ppmv;O2    ≤1.0ppmv;CH4≤0.1ppmv
2)三氯氢硅。主要参数是:纯度(质量分数)/10-2  :≥99.99;一氯甲烷含量(质量分数)/10-6  <10  ;二氯氢硅含量(质量分数)/10-6  ≤100;四氯化硅含量(质量分数)/10-6  ≤100;铁含量(质量分数)/10-9≤30;镍含量(质量分数)/10-9≤2
3)锗烷.主要参数是:锗烷(GeH4)纯度(体积分数)/10-2  ≥99.999%;氢(H2)含量(体积分数)/10-6<50氧(O2)+氩(Ar)含量(体积分数)/10-6  ≤2;氮(N2)含量(体积分数)/10-6  ≤2;一氧化碳(CO)含量(体积分数)/10-6  ≤1;二氧化碳(CO2)含量(体积分数)/10-6  ≤1;甲烷(CH4)含量(体积分数)/10-6  ≤;1水(H2O)含量(体积分数)/10-6  ≤3 
实施目标:
实现用于液晶面板、光纤、IC制造的高纯氯气产业化稳定生产,形成产能约600吨/年;
实现用于芯片硅外延制造的三氯氢硅产业化稳定生产,形成产能约1000吨/年;
实现用于8寸、12英寸芯片、薄膜太阳能电池及光纤制造的锗烷产业化稳定生产,形成产能约10吨/年