主要内容和产品（技术）要求：
高档稀土抛光液，粉体CeO2含量≥99.9%，晶粒尺寸≤30nm，形貌接近球形；抛光液粒度D50=50nm～300nm，Dmax＜500nm，有害杂质离子浓度＜40ppm，硅晶片抛光速度≥100nm/min、表面粗糙度Ra≤1nm，高性能玻璃基片抛光速度≥25nm/min、表面粗糙度Ra≤0.5nm，达到或接近国外先进水平
实施目标：
建成高档稀土抛光液生产线，满足硅片及集成电路芯片、计算机硬盘、液晶显示屏、宝石、光学玻璃等特殊抛光需求，扭转我国相关产品依赖国外进口的不利局面